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보유기술 현황

기술명

[출원] 자기진단 기능을 이용한 비동기용 불휘발성 메모리 모듈

출원번호

10-2022-0049927

출원일

2022년 04월 22일

기술요약정보

본 발명은 반도체 메모리에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 휘발성 메모리(volatile memory)와 비휘발성 메모리(non-volatile memory)를 구비하여 전원이 차단되는 경우에도 데이터를 보존할 수 있으나, 데이터를 읽고 쓰는 과정에서 발생하는 오류로 인한 데이터의 손실을 방지할 수 없는 한계가 있었던 종래기술의 불휘발성 SRAM(Non-Volatile SRAM ; NVSRAM)의 문제점을 해결하기 위해, 전원이 꺼지면 슈퍼 커패시터에 충전된 전압을 이용하여 의사정적램(Pseudo SRAM ; PSRAM)의 데이터를 낸드플래시(NAND flash) 메모리에 저장하며, 이때, BBT(Bad Block Table)를 통해 불량블록을 피하여 유효블록에 저장하고 ECC(Error Correction Code) 데이터와 CRC(Cyclic Redundancy Code)32, 데이터체크섬(Data Check Sum) 데이터를 함께 저장한 다음, 다시 전원이 켜졌을 때 저장된 데이터를 읽고 함께 저장된 CRC32 및 데이터체크섬 데이터를 비교하여 다를 경우는 ECC를 통해 잘못된 데이터를 수정하는 처리가 수행되도록 구성됨으로써, 데이터의 손실을 방지하는 동시에, 오류검출 및 수정의 신뢰성과 정확성을 더욱 높일 수 있도록 구성되는 자기진단 기능을 가지는 비동기식 불휘발성 메모리 모듈이 제공된다.

대표발명자

이름	양오
소속	시스템반도체공학전공
내선번호	043-229-8440
이메일	ohyang@cju.ac.kr

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