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보유기술 정보
| 기술명 | [출원] 반도체 pn 접합구조와 직결된 터널링 양자우물 구조의 태양전지 | ||||||||||
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| 출원번호 | 10-2022-0001549 | 출원일 | 2022년 01월 05일 | ||||||||
| 기술요약정보 | 본 발명은 반도체 pn 접합구조와 직결된 터널링 양자우물 구조의 태양전지에 관한 것으로, 본 발명은 0.5 nm 이상 5 nm 이하의 두께의 범위에서 형성되는 제 1 양자우물 절연막 및 0.5 nm 이상 5 nm 이하의 두께의 범위에서 형성되는 제 1양자우물 반도체막이 하단으로부터 제 1양자우물 절연막, 제 1양자우물 반도체막, 제 1 양자우물 절연막의 순서로 교대로 3개층 이상 적층된 구조로 형성된 제 1양자우물 구조층 및 상기 제 1양자우물 구조층의 상단 또는 하단에 p형 또는 n형 반도체 조성물로 형성된 제 1직결 반도체층을 포함하고, 상기 제 1직결 반도체층의 양 단 중 상기 제 1양자우물 구조층과 마주하는 일 단의 반대 단에는 도체 또는 부도체 조성물로 이루어진 층이 형성되는 것을 특징으로 한다. | ||||||||||
| 대표발명자 |
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