메뉴 건너뛰기

Mobile Tab

대학 기술력 DB

보유기술 현황



보유기술 현황

기술명 [출원] 초박막 산화막과 초박막 폴리실리콘을 연속 형성 가능한 스위칭 LPCVD장치, 이를 이용한 증착 방법 및 이를 이용하여 증착된 적층 구조의 실리콘 웨이퍼
출원번호 10-2023-0054153 출원일 2023년 04월 25일
기술요약정보 본 발명은 초박막 산화막과 초박막 폴리실리콘을 연속 형성 가능한 스위칭 LPCVD(Low Presure Chemical Vapor Deposition, 저압 화학 기상 증착: LPCVD) 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 이를 이용하여 증착된 적층 구조의 실리콘 웨이퍼에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초박막 산화막과 초박막 폴리실리콘을 반복하여 연속 형성할 수 있는 초박막 산화막과 초박막 폴리실리콘을 연속 형성 가능한 스위칭 LPCVD 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 이를 이용하여 증착된 적층 구조의 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다.
대표발명자

이름

정순원

소속

청주대학교 에너지융합공학과
원문 다운로드 다운로드
위로